DSIM仿真耗时
55s
相同测试案例
传统工具耗时
1.2h
相同测试案例
加速比
~78×
同等精度下效率大幅提升
电动汽车逆变器EMI建模
三相两电平逆变器 · 完整系统级建模 · 符合CISPR 25标准
案例研究
系统拓扑与控制
•主电路：直流电源+LISN+直流电缆+母线电容+
三相逆变器+感性负载
•控制策略：d/q轴电流闭环+SVPWM调制
•一体化平台：“控制—功率回路—EMI分析”协同仿真
关键部件高频建模
•LISN：CISPR 25等效电路，还原传导EMI测试环境
•直流电缆：分布参数模型
•薄膜电容：ESR/ESL高频阻抗特性
•功率器件：DSIM开关模块+PAT模型+封装/回路/
共模寄生参数
参数提取与验证
•电缆参数：Grover理论+Q3D三维电磁场仿真
(误差< 0.6%)
•薄膜电容：VNA测量阻抗特性，提取ESR/ESL
•功率器件：CV测试+IV特性测试建立模型
完整系统级模型
EMI仿真的核心难点
随着电力电子系统向高频、高功率密度发展，EMI已成为系统级设计挑战。DSIM针对以下痛点提供系统性解决方案
挑战
面向EMI的仿真框架
关键技术协同突破，实现从物理机理到高精度仿真的完整闭环
01
精确刻画开关瞬态过程，解析描述dv/dt与di/dt变化，保留高频振荡特征，显著提升EMI源建模精度。
分段解析瞬态模型（PAT）
DSIM核心技术
02
开关稳态阶段采用理想开关模型，开关瞬态过程采用PAT瞬态模型，通过事件驱动机制动态切换，兼顾精度与效率。
多时间尺度耦合仿真
03
面向刚性系统的后向离散状态事件驱动算法，提升数值稳定性，改善强非线性电路收敛性，保持高时间分辨率。
BDSED 求解器
仿真结果与实验对比
验证与性能
CISPR 25传导发射测试 · 150kHz–30MHz
大部分频段误差范围
±5dBµV
精度验证：仿真频谱与实验结果整体高度吻合，全频段误差控制在±10dBµV以内
瞬态捕捉：准确再现高频开关瞬态引起的振荡特征
数值稳定性：BDSED求解器有效应对寄生参数导致的强刚性问题
工程价值：设计阶段即可预测EMI行为，缩短开发周期
实验测试平台
平均值频谱
峰值频谱
